Samsung მასიურად აწარმოებს ინდუსტრიის ყველაზე პატარა DDR5 DRAM-ს, განაცხადა კომპანიამ სამშაბათს.
ახალი 14 ნმ EUV DDR5 DRAM არის მხოლოდ 14 ნანომეტრი და აღჭურვილია ექსტრემალური ულტრაიისფერი (EUV) ტექნოლოგიის ხუთი ფენით. მას შეუძლია მიაღწიოს სიჩქარეს 7.2 გიგაბიტამდე წამში, რაც ორჯერ აღემატება DDR4 სიჩქარეს. Samsung ასევე ამტკიცებს, რომ მისი ახალი EUV ტექნოლოგია აძლევს DDR5 DRAM-ს უმაღლეს ბიტის სიმკვრივეს, ამავდროულად ზრდის პროდუქტიულობას 20%-ით და ამცირებს ენერგიის მოხმარებას 20%-ით.
EUV სულ უფრო და უფრო მნიშვნელოვანი ხდება, რადგან DRAM ზომაში მცირდება. ეს ხელს უწყობს შაბლონების სიზუსტის გაუმჯობესებას, რაც საჭიროა უფრო მაღალი მუშაობისთვის და მეტი მოსავლიანობისთვის, თქვა Samsung-მა.14 ნმ DDR5 DRAM-ის ექსტრემალური მინიატურიზაცია შეუძლებელი იყო არგონის ფტორიდის (ArF) წარმოების ჩვეულებრივი მეთოდის გამოყენებამდე და კომპანია იმედოვნებს, რომ მისი ახალი ტექნოლოგია დაეხმარება გაუმკლავდეს უფრო მაღალი წარმადობისა და სიმძლავრის საჭიროებას ისეთ სფეროებში, როგორიცაა 5G და ხელოვნური ინტელექტი.
მიმდინარეობს, Samsung-მა განაცხადა, რომ სურს შექმნას 24 გბ 14 ნმ DRAM ჩიპი, რომელიც დაეხმარება გლობალური IT სისტემების მოთხოვნების დაკმაყოფილებას. ის ასევე გეგმავს თავისი 14 ნმ DDR5 პორტფოლიოს გაფართოებას მონაცემთა ცენტრების, სუპერკომპიუტერებისა და საწარმოს სერვერების აპლიკაციების მხარდასაჭერად.
